Что дает разгон оперативной памяти. Как разогнать частоту оперативной памяти компьютера
Пользуясь компьютером, многие из нас даже не догадываются, что производительность устройства можно значительно увеличить, не прибегая к «апгрейду» - обновлению аппаратных компонентов. Делается это при помощи так называемого «разгона» различных видов микросхем. В частности, данного рода процедура очень популярна в отношении модулей оперативной памяти ПК (ОЗУ), наряду с аналогичными экспериментами с процессорами, видеокартами и прочими аппаратными компонентами компьютера.
Какова практическая значимость разгона ОЗУ, не считая повышения производительности ПК? Эта процедура, в частности, может использоваться при сравнительном тестировании от разных производителей в сервисных центрах.
Разгон аппаратных компонентов ПК - это популярное в мире и в России хобби. Люди, которые им увлекаются, именуют себя интересным термином "оверклоккеры" (от англ. overclock, означающего в одной из трактовок "разгон").
Есть ряд нюансов, знание которых может оказаться полезным для энтузиастов "оверклоккинга" и IT-специалистов, занимающихся тестированием «железа». Как разогнать оперативную память и обеспечить при этом наибольший прирост производительности ПК? Как обеспечить стабильную работу компьютера в «разогнанном» режиме? Как выбрать оптимальный метод "оверклоккинга" и при этом не навредить другим аппаратным компонентам компьютера?
Методы разгона ОЗУ
IT-специалисты, комментируя возможность разгона оперативной памяти, обычно акцентируют внимание на том, что как таковая микросхема ОЗУ, как правило, имеет заложенный заводом-изготовителем «иммунитет» к искусственному увеличению производительности. Поэтому разгонять модули отдельно от других аппаратных компонентов ПК может оказаться делом бесполезным. По этой причине на практике «оперативка» разгоняется практически всегда вслед за процессором. Отдельно — в крайне редких случаях. Прежде чем думать над тем, как разогнать оперативную память, пользователю ПК будет полезно изучить особенности ускорения производительности процессора.
Под «разгоном» оперативной памяти почти всегда понимают активизацию особых режимов ее работы. Каких именно?
Во-первых, это «разгон» посредством повышения модулей ОЗУ. Как правило, осуществляется эта процедура одновременно со сменой настроек процессора, направленных, в свою очередь, на увеличение его производительности.
Во-вторых, «разгон» ОЗУ может осуществляться посредством изменения так называемых «таймингов». Если их значения уменьшить, то процесс обмена электронными сигналами в микросхеме станет более интенсивным.
Некоторые специалисты выделяют также и третий способ ускорения производительности ОЗУ, а именно эксперименты с изменением значений, касающихся электрического напряжения в микросхеме.
Как разогнать оперативную память, используя все три выше описанных инструмента наиболее эффективно? Посмотрим, что рекомендуют IT-специалисты.
Выбор оптимального метода разгона ОЗУ
В силу технологических особенностей архитектуры модулей оперативной памяти оба вышеобозначенных метода их «разгона» не могут применяться в режимах выставления максимальных значений одновременно. Придется выбирать — высокие тайминги или же частоты, либо подбирать компромиссное сочетание настроек. Как разогнать оперативную память, корректно оптимизируя сочетание этих двух параметров?
IT-специалисты не дают однозначного ответа на этот вопрос. Есть только общие рекомендации. Одна из них звучит так: если мы выставим повышенные значения для тактовой частоты, то придется замедлять тайминги, иначе работа ПК будет нестабильной. А ускорение таймингов будет эффективным, только если тактовую частоту не повышать относительно заводского уровня.
Эксперты полагают, что все зависит от специфики архитектуры конкретных микросхем, а также от того, насколько корректно будут интерпретированы результаты тестирования разогнанных модулей.
Важнейший нюанс: многие специалисты отмечают, что пользователю, задумавшему разогнать процессор и память, нужно быть готовым к тому, что компьютер не ускорится, а, наоборот, замедлится. Такие случаи — не редкость. В этом случае идеальный вариант — не трогать заводские настройки ОЗУ и процессора. Лучшая оперативная память, полагают некоторые IT-эксперты — это та, которая работает по частотам и таймингам, выставленным производителем.
«Двойственность» частот ОЗУ: что нужно знать
Есть версия, что частота — определяющая характеристика в скорости работы ОЗУ. Поэтому при разгоне в первоочередном порядке следует уделять внимание именно этому параметру. Чем выше частота, тем больше операционных тактов производят модули ОЗУ в секунду. Тем, соответственно, выше скорость оперативной памяти. Вместе с тем есть здесь один интересный нюанс.
Эксперты советуют обратить внимание на то, что модули ОЗУ типа DDR имеют две «частотные» характеристики: реальную (фактическую) и эффективную. Причем вторая вдвое больше. Производители оперативной памяти крайне редко указывают фактическую. В то время как в программах диагностики и мониторинга работы аппаратных компонентов ПК, как правило, отображается именно такого типа частота.
Главные «тайминги»
Второй важнейший параметр при разгоне ОЗУ — тайминги. Их достаточно много, но в нашем случае нам пригодятся знания о четырех — CAS, RAS-to-CAS, а также Row Precharge и Row Active. В такой последовательности обычно указываются установленные в настройках значения таймингов.
Оптимальное рабочее напряжение
Оптимизация данного параметра важна с точки зрения стабильности работы разогнанного модуля ОЗУ. Заводское значение для модулей DDR2 составляет 1,8 вольт, для ОЗУ типа DDR3 чуть меньше — 1,5. Для «разгона» можно увеличивать напряжение, но ненамного. IT-специалисты рекомендуют выставлять значение в пределах 2,2 вольт для микросхем типа DDR2. Если же пользователь думает над тем, как разогнать оперативную память DDR3, то ему нужно иметь в виду, что для этого типа ОЗУ максимальное значение в вольтаже — 1,65. Если выше — то система может начать работать со сбоями. Специалисты отмечают: даже самая лучшая оперативная память от ведущих мировых брендов не гарантирует стабильности работы при манипуляциях с уровнем напряжения.
Тестируем производительность при разгоне
Как мы уже отметили выше, заранее сложно предугадать, какой метод разгона окажется эффективнее — манипуляции с тактовой частотой или таймингом. Поэтому если вы решили ускорить работу ПК, вам предстоит вооружиться специализированными программами, позволяющими вести мониторинг производительности разогнанных модулей ОЗУ.
На какие программы стоит обратить внимание? Эксперты советуют обзавестись таким ПО, как PC Mark и Everest. Какая именно программа для оперативной памяти подходит больше всего? Специалисты считают, что каждое из этих решений имеет свои плюсы и минусы. Многое зависит от субъективного уровня комфорта пользования этими программами, который определяет сам пользователь.
Данные виды ПО хороши, помимо качественного мониторинга в отношении производительности, наличием функций по отслеживанию стабильности работы модулей ОЗУ.
Измерять скорость оперативной памяти исключительно важно с точки зрения выбора оптимального сочетания инструментов для разгона микросхем.
Инструментарий разгона ОЗУ
Выставить необходимые значения частоты или поменять настройки в таймингах можно двумя способами: через интерфейс БИОС либо воспользовавшись специальным ПО. Многие IT-специалисты рекомендуют первый вариант, так как в этом случае осуществляется низкоуровневое взаимодействие с аппаратными компонентами ПК.
Таким образом, мы имеем дело с удивительной рекомендацией от IT-экспертов: не пользоваться ПО, запускамым из операционной системы. Лучшая, таким образом, программа для разгона оперативной памяти — это BIOS, система ввода-вывода.
Манипуляции с частотой: ключевые нюансы
Эксперты в области разгона аппаратных компонентов ПК считают, что подходить к изменению частоты ОЗУ нужно с особой осторожностью. Дело в том, что данный параметр нельзя выставить посредством корректировки какой-то одной цифры. Общая частота памяти — результат произведения двух разных параметров: FSB и BCLK (при этом к ним добавляется дополнительный коэффициент-множитель, который также можно менять). Произведение FSB и BCLK — это так называемая «опорная частота». Именно ее предстоит корректировать в процессе «разгона» ОЗУ. Эксперименты с коэффициентом-множителем без изменения опорной частоты, как правило, не приводят к видимым результатам.
Процессор как фактор эффективности разгона ОЗУ
Многие IT-эксперты считают, что подходы к разгону модулей ОЗУ следует выбирать, исходя из конкретной модели процессора. Вполне возможно, что выставление одних и тех же значений частоты, напряжения и таймингов при использовании модулей на разных процессорах будет сопровождаться совершенно противоположными результатами.
Разгоняем память с процессором Intel
Тесты, проводимые IT-специалистами, показывают, что при разгоне памяти, используемой в сочетании с современными процессорами Intel (особенно с теми, что построены на архитектуре Sandy Bridge), существуют следующие закономерности.
Во-первых, многие из микросхем Intel плохо поддаются корректировке в отношении параметра BCLK. Если его значения изменить, то ПК может начать работать нестабильно. Поэтому экспериментировать, скорее всего, будет возможно только с множителем.
Есть вместе с тем в линейке Intel процессоры, которые, как отмечают эксперты, прекрасно адаптированы к работе при разгоне памяти. Например, это микросхемы таких типов, как Core i7-8 (они собраны на базе архитектуры Lynnfield). Наименьшей совместимостью с разгоном памяти, как считают некоторые специалисты, обладают процессоры Intel, собранные на базе технологии Clarkdale (особенно новейших серий).
Специалисты отмечают, что на результативность ускорения ОЗУ при разгоне на процессорах Intel влияют параметры материнской платы ПК, а именно то, какие на ней использованы чипсеты. Быстрая работа одних микросхем в должна сопровождаться не меньшей динамикой производительности других. ПК — это комплекс электронных компонентов. Чем слаженнее их работа — тем быстрее и стабильнее функционирует компьютер. Если в распоряжении пользователя — низкопроизводительная материнская плата, оперативной памяти, скорее всего, никакой разгон не поможет.
Наилучшей совместимостью с разгоном памяти обладают микросхемы с чипсетом типа P67 Express.
Разгон памяти и процессоры AMD
IT-специалисты отмечают, что компания AMD характеризуется несравненно большей консервативностью в подходах к изменению архитектуры выпускаемых процессоров. Поэтому разогнанные модули ОЗУ в тандеме с микросхемами от AMD, полагают эксперты, ведут себя более предсказуемо, чем в случае использования в сочетании с процессорами Intel. Однако достигаемый уровень производительности, как отмечают IT-специалисты, при разогнанных модулях ОЗУ в тандеме с процессорами AMD обычно ниже.
Достаточно хорошо себя проявляют при разгоне ОЗУ микросхемы Phenom II, Athlon II. Опорная частота в них составляет 200 мегагерц. Для лучшего результата рекомендуется выставлять частоту для контроллера памяти в три, а порой даже более раз выше, чем аналогичный показатель для модулей памяти.
Специалисты отмечают, что память DDR3, считающаяся одной из самых производительных, почти не разгоняется на ПК, оснащенных процессором AMD. Важно при этом убедиться, что на материнской плате стоят иного типа модули. Прежде чем приступать к разгону, нужно изучить каждый слот оперативной памяти, посмотреть, какая на микросхемах стоит маркировка.
Что лучше разгонять: процессор или память?
На этот вопрос IT-эксперты не дают однозначного ответа. Почти всегда имеет смысл делать и то и другое одновременно. Вместе с тем некоторые специалисты полагают, что отдельный разгон процессора даст гарантированное увеличение производительности системы. В то время как эффект от использования разогнанной памяти не всегда сопровождается реальным ускорением работы ПК, а иногда даже, наоборот, система начинает «тормозить».
Как разогнать оперативную память компьютера так, чтобы производительность гарантированно выросла, но при этом снизилась вероятность возникновения неисправностей? Раскрыть реальный потенциал аппаратных компонентов ПК, как считают IT-эксперты, можно, реализуя комплексный подход, который выражается в одновременной работе по разгону самых разных типов «железа».
В частности, практическая значимость увеличения производительности ПК возникает, как правило, при запуске компьютерных игр и мощных графических приложений. Поэтому одновременно с ОЗУ и процессором имеет смысл разогнать также и видеокарту. Выставляя параметры оперативной памяти, предполагающие искусственное ускорение ее работы, следует сопоставлять их со значениями, которые потребуется устанавливать для других аппаратных компонентов ПК.
Аспект охлаждения
Выставить оптимальные значения по частоте и таймингам — половина дела. Очень важно позаботиться о том, чтобы аппаратура выдержала повышенные в силу проведенного разгона нагрузки. Поэтому прежде чем искусственно увеличивать скорость работу ОЗУ, следует убедиться, что на ней установлена мощная система охлаждения.
Планки оперативной памяти должны находиться в непосредственной близости от радиаторов. Это правило касается, между тем, не только ОЗУ, но и процессора (а также иных «разгоняемых» видов «железа»). Очень важно, чтобы вентиляция качественно обдувала каждый слот оперативной памяти, обеспечивала постоянную циркуляцию воздуха. В некоторых случаях имеет смысл установить одновременно с заводскими кулерами дополнительную систему
Многие ошибочно считают, что для увеличения производительности компьютера надо гнать в первую очередь процессор и чем выше разгон, тем лучший прирост в FPS. Хотя отчасти это правда и частота очень сильно влияет на производительность вашего компьютера, многое зависит также от скорости оперативной памяти, а также от частоты видеоядра и его памяти. О том, как разогнать видеокарту, мы уже рассказывали в отдельной статье. Теперь пришло время уделить внимание частоте оперативной памяти. Грамотный разгон вашей RAM позволит существенно повысить производительность. Прелесть разгона RAM также в том, что, в отличие от или процессора, более высокие частоты и вольтаж памяти не приводят к выделению очень большого количества тепла. Да, память все равно греется, но это тепловыделение не идет ни в какое сравнение с тепловыделением разогнанного процессора или видеокарты.
Даже если в вашем компьютере установлена очень быстрая память (к примеру, вы купили плашки DDR4-3200), но вы не увеличивали ее частоту, она все равно будет работать на стоковой частоте в районе 2133 МГц. Это значит, что даже самая крутая память по умолчанию работает на минимальной для DDR4-стандарта частоте (для DDR3 этот показатель равен 1333 МГц, а более старые варианты мы уже не рассматриваем). Именно поэтому важно гнать память. Попросту говоря, ваши деньги зря простаивают, если крутая память работает чуть ли не в половину своих способностей. Если же у вас более скромная память и ее стоковые частоты не впечатляют своими характеристиками, ее все равно можно и нужно гнать, поскольку подавляющее большинство плашек способно работать на частотах выше заявленных, а это равно бесплатному увеличению производительности.
Также надо понимать, что производительность отдельных процессоров напрямую зависит от скорости оперативной памяти. К примеру, первое поколение семейства AMD Ryzen демонстрировало существенный прирост вычислительной мощности, когда используется разогнанная память. Если ваш CPU не столь чувствителен к частотам памяти, более высокая частота все равно никогда не будет лишней.
Разгон оперативной памяти компьютера
Прежде чем переходить непосредственно к пыткам вашей памяти и материнской платы, надо обратить внимание на несколько нюансов. От них зависит, сможете ли вы в принципе разогнать свою оперативную память и какой от этого будет прирост.
- Чипсет материнской платы должен поддерживать разгон. Если внутри вашего компьютера трудится процессор Intel, материнская плата должна быть на чипсете Z. Чипсеты H и B не поддерживают разгон ни памяти, ни процессора. В теории вы можете увеличить частоту памяти до максимально поддерживаемой процессором на заблокированном чипсете, но она зачастую не выше стоковой частоты подавляющего большинства плашек. Это же правило касается и процессоров AMD. Разгон памяти будет возможен лишь на чипсетах B и X (процессоры Ryzen). Если у вас компьютер на старых процессорах AMD и Intel, сверьтесь со спецификациями материнской платы. Для начала вам надо знать, а затем поискать ее характеристики в Интернете. Если материнская плата не поддерживает разгон, чтение инструкции на этом можете заканчивать. При проверке возможностей разгона также проверьте максимально поддерживаемую частоту. На ноутбуках разгон памяти тоже возможен, но он будет зависеть от того, есть ли в BIOS нужные вам параметры.
- Учтите, что в спецификациях вашего процессора может быть указана очень низкая поддерживаемая частота. Это значение не является «потолком». Производитель лишь гарантирует, что на этой частоте процессор точно будет работать. Вы можете легко поднимать эту частоту значительно выше указанной и не переживать за совместимость с процессором.
- Если материнская плата поддерживает разгон памяти (в случае с процессорами Intel для разгона памяти не обязательно иметь процессор с суффиксом K. Если чипсет позволяет, гнать память можно вне зависимости от того, разблокированный у процессора множитель или нет), проверьте, в каком режиме работает память. Для максимальной выгоды от разгона надо использовать двухканальный режим, когда объем памяти разделен двумя плашками. Гнать можно и одноканальную память, но в таком случае вы не получите практически никакого профита от этой затеи. Кстати, двухранговые плашки памяти (когда чипы памяти распаяны с обеих сторон платы) демонстрируют лучшую производительность при разгоне.
- При разгоне памяти вам надо приготовиться к тому, что компьютер будет зависать и крашится, а в некоторых случаях даже не проходить POST и зависать при старте. Это норма. Фризы и падения являются неотъемлемой частью разгона любого компонента компьютера. Они помогают определить лимит вашего железа и точно выловить желанную частоту при разгоне. Учтите, что вам надо также знать, потому что при неправильном разгоне система может перестать стартовать вообще и вернуть ее в чувство можно будет только сбросом BIOS. Если вы не уверены в своих силах, лучше даже не начинайте.
- При разгоне всегда есть вероятность навредить компьютеру, поэтому мы не несем ответственности за результаты ваших действий. Все же шансы что-то спалить очень низкие, если вы неспеша и без фанатизма подходите к разгону. Не стоит сразу задирать частоты до максимумов или повышать до предела вольтаж. Все делается постепенно и небольшими шагами.
- Не стоит разочаровываться, если память не погналась выше двух шагов (к примеру, 1333 МГц – 1600 МГц – 1866 МГц). Даже разгона в один-два шага будет достаточно для существенного «буста» вашей системы.
Проверить, в каком режиме сейчас работает ваша память, можно в BIOS или при помощи небольшой утилиты CPU-Z. Скачайте ее на официальном сайте и запустите. Перейдите на вкладку Memory . Здесь будет отображаться стандарт, объем памяти, канал (одноканальный / двухканальный / четырехканальный), частота северного моста, частота памяти и тайминги. CPU-Z удобна тем, что позволяет сразу узнать все характеристики памяти и не блуждать по разделам BIOS.
Когда все готово, и вы морально настроили себя на разгон, начинайте процедуру с перезагрузки компьютера и входа в BIOS (если вы не знаете, как зайти в BIOS, лучше прекратить чтение этой статьи прямо сейчас ).
Разгон памяти – весьма капризный процесс, поскольку вам надо не только поднимать частоту и при необходимости вольтаж, но и «ослаблять» тайминги в особых случаях. Тайминги напрямую влияют на производительность памяти и чем они ниже, тем лучше. При разгоне тайминги надо повышать, если не помогает увеличение вольтажа. При этом минус производительности от этого действия компенсируется увеличенной частотой.
Для начала найдите раздел с настройками частоты памяти в вашем BIOS. У каждой материнской платы он может быть подписан по-разному. Эта статья написана на примере платы Gigabyte с UEFI. На остальных платах интерфейсы будут отличаться, но принцип все тот же.
Первым делом включите профиль AMP (он также называется XMP ). На современных платах включение XMP-профиля позволяет выбрать частоту и тайминги из предустановленного списка, что существенно упрощает процесс разгона.
Если у вашей платы есть предустановленные списки частот и таймингов, выбирайте из него тот, что на шаг выше вашей стоковой частоты, затем перезагрузитесь в систему и протестируйте стабильность работы памяти. Для проверки стабильности достаточно открыть браузер или запустить игру, чтобы понять, насколько хорошо работает память. Конечно, можно использовать приложения-бенчмарки, но мы здесь практикуем не научный лабораторный подход, а более доступный для обычного юзера способ. Если тест пройден и система не падает под нагрузкой, пробуйте поднять частоту еще и до тех пор, пока не наткнетесь за сбой в работе.
Совет : каждый раз, когда вы находите рабочие частоты и параметры, записывайте их и затем пытайтесь улучшить (понизить вольтаж или понизить тайминги). В этом вам будет полезна та же CPU-Z.
Если предустановленных списков частот и таймингов нет, придется гнать вручную (профиль все равно надо включать). Да и ручной разгон зачастую дает лучшие результаты. Пробуйте поднять частоту памяти без изменения таймингов и вольтажа. Просто поднимите частоту на один шаг. К примеру, 1333-1600. На скриншоте вы можете увидеть, что за параметр частоты оперативной памяти отвечает System Memory Multiplier (множитель системной памяти). Сохраните изменения и перезагрузитесь. Проверьте стабильность работы памяти.
Если компьютер не хочет загружаться с этими параметрами или во время нагрузки на память падает в синий экран смерти или зависает, вам надо попытаться увеличить вольтаж. Не стоит поднимать вольтаж очень высоко, особенно на плашках без радиаторов охлаждения. Безопасным пределом будет +0.1-0.15 В (да, слишком высокий вольтаж может запросто сжечь вашу память). Настройки вольтажа на нашей плате можно найти в разделе M . I . T – Advanced Voltage Settings – DRAM Voltage . Для DDR3 стандартный вольтаж находится на уровне 1.5 В, а для DDR4 1.2 В.
Если повышение вольтажа не дало результатов, пробуйте ослабить тайминги. Для этого зайдите в BIOS, выставьте желаемую частоту, а затем перейдите в раздел с настройки таймингов. На нашей плате он расположен в M.I.T - Advanced Memory Settings – Channel A / B Timing Settings . Тайминги надо настраивать для каждого канала отдельно, и они должны быть одинаковыми для обеих плашек. Поднимите основные значения (CAS / tRCD / tRP / tRAS) на +1 или +2, а затем попытайтесь снова загрузиться. Если же и тайминги не смогли дать желанного результата, измените в параметрах таймингов Command Rate на 2 . Снова сохраните параметры, перезагрузите компьютер и попытайтесь добраться до операционной системы и приложений.
Тайминги очень капризны и рабочие параметры будут зависеть от каждой индивидуальной модели. Если у вас популярная модель памяти, попытайтесь погуглить параметры разгона. Возможно, кто-то из других пользователей смог разогнать вашу память и опубликовал в Интернете значения частоты, вольтажа и таймингов. Это существенно упростит вам процедуру разгона.
При разгоне памяти надо понимать, что есть вероятность нулевого разгона, когда память не захочет разгоняться в принципе. Это может случиться в том случае, если вы пытаетесь разогнать очень старую память, выпущенную во времена, когда ее техпроцесс и стандарт еще не были хорошо освоены. С другой стороны, свежая память, выпущенная спустя много ревизий и доработок техпроцесса, обеспечит вас более высокими шансами на разгон. Каждый чип уникален, а потому и разгонный потенциал разный. Если не получилось разогнать память вообще, смиритесь с тем, что вам надо либо купить новую память, поддерживающую более высокие частоты, либо сидеть со стоковой.
Когда вы определились с частотами, вольтажом и таймингами, стоит также разогнать контроллер памяти, он же северный мост. Это очень важно сделать, чтобы добиться максимальной отдачи от разгона. Благо, гнать контроллер гораздо проще и все сводится зачастую до указания частоты моста и его вольтажа.
Для справки : не на всех процессорах поддерживается разгон моста. К примеру, на Ryzen такой опции нет в принципе. Также не на всех материнских платах есть параметры для разгона частоты и вольтажа северного моста. Если вы не нашли этих параметров, придется удовлетвориться разгоном лишь одной оперативной памяти.
В разделе M . I . T . Advanced Frequency Settings за разгон северного моста отвечает параметр NB Clock (Mhz ) . На моем компьютере стандартная частота составляет 1 800 МГц. Увеличивайте ее на 100-200 МГц. Начинайте гнать без изменения вольтажа. Только частоты. Каждый раз, когда устанавливаете новое значение, перезагружайтесь и проходите тесты на стабильность.
Когда удалось найти частоту, при которой стандартного вольтажа уже недостаточно (система может зависнуть или упасть на экране загрузки Windows, к примеру), попытайтесь либо увеличить вольтаж, либо удовлетвориться последней стабильной частотой. Увеличивается вольтаж моста в разделе M . I . T . Advanced Voltage Settings – NB Core . Как и в случае с памятью, увеличивайте значения на десятые доли вольта.
Желаем всем частот как можно выше, вольтажа как можно ниже и производительности как можно больше!
Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, - оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5-10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы - почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.
Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.
Итак, оперативная память - это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.
Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:
- Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
- Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
- Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
- При чтении данных - зарядов конденсаторов - их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
- Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция - Refresh - выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.
На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги - временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.
Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.
Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:
CAS Latency (CL) - пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).
RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.
RAS Precharge (tRP) - время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.
Row Active Time (tRAS) - временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.
Command Rate 1/2T (CR) - время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T - за два.
Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) - время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.
DRAM Idle Timer - время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.
Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое - величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.
Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.
| Тип памяти | Рейтинг | Реальная частота работы памяти, МГц | Эффективная частота работы памяти (DDR, Double Data Rate), МГц |
| DDR | PC 2100 | 133 | 266 |
| PC 2700 | 167 | 333 | |
| PC 3200 | 200 | 400 | |
| ЗС 3500 | 217 | 434 | |
| PC 4000 | 250 | 500 | |
| PC 4300 | 266 | 533 | |
| DDR2 | PC2 4300 | 266 | 533 |
| PC2 5400 | 333 | 667 | |
| PC2 6400 | 400 | 800 | |
| PC2 8000 | 500 | 1000 | |
| PC2 8500 | 533 | 1066 | |
| PC2 9600 | 600 | 1200 | |
| PC2 10 400 | 650 | 1300 | |
| DDR3 | PC3 8500 | 533 | 1066 |
| PC3 10 600 | 617,5 | 1333 | |
| PC3 11 000 | 687,5 | 1375 | |
| PC3 12 800 | 800 | 1600 | |
| PC3 13 000 | 812,5 | 1625 | |
| PC3 14 400 | 900 | 1800 | |
| PC3 15 000 | 933 | 1866 | |
| Отметим, что числовое обозначение рейтинга в данном случае согласно спецификациям JEDEC указывает на скорость в миллионах передач в секунду через один вывод данных. Что касается быстродействия и условных обозначений, то вместо эффективной частоты работы правильнее говорить, что скорость передачи данных в два раза больше тактовой частоты модуля (данные передаются по двум фронтам сигналов тактового генератора). |
|||
Основные тайминги памяти
Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK - тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND - команды, поступающие на ячейки памяти; READ - операция чтения; NOP - команды отсутствуют; PRE - подзарядка конденсаторов - ячеек памяти; ACT - операция активации строки; ADDRESS - адресация данных к банкам памяти; DQS - шина данных (Data Strobe); DQ - шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL - CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n - считывание данных со строки n. Один такт - временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.
 |
Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).
Основы разгона оперативной памяти
Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR - Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 - Micron D9xxx; DDR3 - Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.
Пожалуй, первый шаг, который делают новички, - повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2-667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.
Следующий шаг - подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа - MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.
 |
Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM.
|
На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10-20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2-2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3-2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей - даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.
Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.
Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10-15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК - почему бы и нет?
ЕРР и XMP - разгон ОЗУ для ленивых
Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.
В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP - расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР - сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).
| Параметр | Возможные значения для ЕРР | Поддерживается | ||
| JEDEC SPD | Сокращенный профиль ЕРР | Полный профиль ЕРР | ||
| CAS Latency | 2, 3, 4, 5, 6 | Да | Да | Да |
| Minimum Cycle time at Supported CAS | JEDEC + 1,875 нс (DDR2-1066) | Да | Да | Да |
| Minimum RAS to CAS Delay (tRCD) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Row Precharge Time (tRP) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Active to Precharge Time (tRAS) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Write Recovery Time (tWR) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Active to Active/Refresh Time (tRC) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Voltage Level | 1,8-2,5 В | - | Да | Да |
| Address Command Rate | 1Т, 2Т | - | Да | Да |
| Address Drive Strenght | 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х | - | - | Да |
| Chip Select Drive Strenght | 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х | - | - | Да |
| Clock Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | - | - | Да |
| Data Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | - | - | Да |
| DQS Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | - | - | Да |
| Address/ Command Fine Delay | 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK | - | - | Да |
| Address/ Command Setup Time | 1/2, 1 MEMCLK | - | - | Да |
| Chip Select Delay | 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK | - | - | Да |
| Chip Select Setup Time | 1/2, 1 MEMCLK | - | - | Да |
| * Диапазон значений соответствует требованиям, определенным JEDEC для модулей DDR2 | ||||
| Расширенные профили ЕРР позволяют автоматически управлять ощутимо большим количеством задержек модулей стандарта DDR2, чем базовый набор, сертифицированный JEDEC. | ||||
Дальнейшее развитие данной темы - концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.
Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути - будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.
Итоги
В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала - объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.
Тонкая настройка работы модулей - дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) - это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.
Дальше - тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру - высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!
Несмотря на то, что некоторые источники предлагают скачать специальные программы для разгона разных типов процессоров (Intel или AMD), правильнее всего повышать тактовую частоту CPU через BIOS. Проверенного софта, который бы смог разогнать процессор, не существует. Это связано с техническими ограничениями и тем, что для каждого «камня» есть свои нормы повышения частоты. Они могут меняться в зависимости от типа используемого охлаждения. Мы рекомендуем узнать допустимую нагрузку для установленной модели чипа и постепенно изменить значения с помощью инструкции, написанной конкретно для вашей версии BIOS.
Превышение максимально допустимого порога разгона может привести к поломке оборудования.
Программы для разгона видеокарт
Программы для разгона видеокарт помогут изменить основные показатели работы на аппаратной графической карте вашего ПК или ноутбука - напряжение, допустимую температуру, частоту работы процессора и памяти адаптера, а также скорость вращения кулера. Кроме редактирования параметров эти утилиты позволяют просматривать основные сведения об установленном оборудовании.
Акцентируем внимание на том, что подобные программы следует применять с внешними графическими устройствами, которые не интегрированы в процессор или материнскую плату. Только в этом случае вы сможете получить измеримый эффект от изменения настроек.
Среди предложенных инструментов выделим прежде всего из-за совместимости с наибольшим количеством устройств.
Программы для разгона оперативной памяти (ОЗУ)
Как и в случае с процессором, не существует стабильных утилит, которые смогут изменить частоту работы оперативки с помощью операционной системы. Редактировать данные параметры нужно через BIOS, более того, важно, чтобы новая частота поддерживалась не только памятью, но и материнской платой. Ознакомиться с инструкцией по изменению частот можно в руководстве пользователя к вашей материнке.
Можно встретить мнение, что существуют программы для разгона оперативной памяти «старых» образцов (DDR) на ноутбуках, однако нам не удалось найти рабочих версий таких утилит.
Программы для улучшения работы дисков
Основные факторы, влияющие на быстродействие жестких дисков - его текущее состояние и схема размещения файлов.
Проверить текущее состояние путем S.M.A.R.T.-анализа и при необходимости «правильно» отформатировать устройство можно с помощью утилиты HDD Low Level Format Tool, она набрала больше всего балов в нашем тематическом .
Кроме того, быстродействие классических жестких накопителей зависит от того, насколько равномерно распределены данные по поверхности. Множество различных системных утилит содержат функцию структуризации файлов (дефрагментации). Среди специализированных решений выделим и .
Программы для оптимизации Windows
Утилиты, которые помогут оптимизировать операционную систему, мы ранее рассматривали в отдельной .
Другие факторы, влияющие на производительность
Если вы используете внешние устройства, не забывайте, что скорость обмена данными зависит от используемого протокола. Например, современные телефоны и флешки лучше подключать в USB-порт, который совместим с протоколом 3.0, он имеет синий цвет.
Также не забывайте, что из-за наличия вредоносного ПО компьютер может заметно «тормозить». Для защиты системы рекомендуем использовать программы-антивирусы, им мы также посвятили отдельный .
19.02.2013
Несмотря на то, что оверклокерская оперативная память с отменными характеристиками, оригинальными системами охлаждения и большим разгонным потенциалом доминирует на страницах профильных изданий, в реальных продажах значительно большую долю имеют обычные, недорогие модули. Мы решили проверить, на что способны эти скромные планки DDR3 в разгоне.
После теста о влиянии частоты оперативной памяти на игровую производительность , мы невольно задумались о том, насколько оправданной может быть покупка дорогих и быстрых модулей памяти? После этого мысли ушли немного в другую сторону, и появился новый вопрос, а нельзя ли взять более доступную память и разогнать? Насколько вообще возможно повышение частоты для обычных, весьма скромных по внешнему виду, и доступных по цене решений? Чтобы ответить на все эти вопросы, мы взяли на тест четыре пары модулей памяти от разных производителей – Kingston, Silicon Power, Team, и Transcend. Самых простых и доступных, то есть тех, что выбирает большинство покупателей.
Кроме того, все больше и больше недорогих модулей памяти имеет частоту 1600 мегагерц, благодаря тому, что JEDEC одобрила этот стандарт как номинальный, а цены на более быстрые чипы памяти опустились до минимального уровня. Это породило некоторые сомнения в том, что есть какие-либо разумные доводы в пользу покупки более дорогой оверклокерской памяти с частотой 1866 мегагерц, ведь даже дешевые модули вполне могут “дотянуться” до этой частоты. А быть может им по силам и 2 гигагерца? Будем проверять. Но для начала давайте познакомимся с нашими “подследственными” в алфавитном порядке.
Kingston KVR16N11/4
Безусловно, самые оригинальные по внешнему виду модули данного теста. Как видно на фотографиях, их высота заметно ниже, чем у других модулей. Удивительно, почему другие производители не переходят на платы уменьшенной высоты, ведь по большому счету, никаких причин использовать привычные, высокие планки нет, так как они были рассчитаны на чипы памяти старого типа (TSOP), в то время как DDR3 выпускается только в корпусах BGA. Впрочем, это не дает никакого преимущества памяти Kingston, так как по характеристикам она абсолютно идентична с конкурентами. Объем модуля – 4 гигабайта, максимальная частота – 1600 мегагерц, тайминги на данной частоте – 11-11-11-28, и рабочее напряжение 1,5 вольта. Самое что ни есть стандартные и обычные на сегодняшний день характеристики. На планках установлено 16 чипов памяти емкостью 2 гигабита, собственного производства с маркировкой Kingston NO6296-01.
Отдельно отметим то, что память Kingston, в отличие от других модулей памяти в тесте поставляется в индивидуальной упаковке, и снабжено инструкцией. Насколько этот момент критичен для оперативной памяти сказать сложно, но это, безусловно, приятно, тем более, что по цене модули Kingston не отличаются от конкурентов. А учитывая эти данные, и магическое имя, годами являющиеся символом качественной и быстрой памяти, понятно, что это главный претендент на кошелек покупателя. Посмотрим, как он покажет себя в тесте.
Silicon Power SP004GBLTU160V02
Тоже отнюдь не самое неизвестное имя, но все же весьма узнаваемое. Silicon Power давно закрепил за собой солидную долю рынка бюджетной памяти, благодаря высокой надежности и действительно доступной цене. В принципе в ассортименте Silicon Power есть и решения для энтузиастов и оверклокеров под собственным именем X-Power, но они не получили большой известности, всегда оставаясь в тени “продвинутых” решений от той же Kingston, Geil, Corsair и прочих. Поэтому, если бы это был тест супер-памяти, то Silicon Power был бы на вторых ролях, но мы-то тестируем бюджетные решения, а здесь продукты этой компании явные претенденты на победу.
Впрочем, исходные характеристики модулей Silicon Power вполне стандартны. Объем 4 гигабайта, базовая частота 1600 мегагерц, тайминги 11-11-11-28,и рабочее напряжение 1,5 вольта. Как и Kingston, Silicon Power использует чипы памяти собственного производства с маркировкой S-Power 20YT5NG. Всего таких чипов 16, а емкость каждого из них равна 2 гигабитам. Никакой упаковки и комплектации к эти модулям памяти не предусмотрено.
Team Elite TED34G1600HC11BK
Компания Team относительно новый игрок на рынке оперативной памяти, и ей пока трудно бороться за покупателя с именитыми конкурентами. Впрочем, на рынке быстрых модулей к Team уже относятся достаточно серьезно, благодаря весьма приличным сериям Vulkan и Extreem. Стремясь выделить и свои бюджетные решения на фоне конкурентов, компания нашла оригинальное решение. Взгляните на фотографию. Несмотря на то, что память Team Elite стоит не дороже конкурентов, она облачена в алюминиевый радиатор. Фактически этого не требовалось, так как тепловой режим современных модулей DDR3 с частотой 1600 мегагерц более чем приемлем. Но какой эффект! Да, безусловно, любой ценитель, да и значительная часть тех, кто не совсем понимает в модулях памяти, выберет ее. Просто потому, что она выглядит солиднее, нежели конкуренты. В нашем случае радиаторы на памяти могут помочь Team Elite при разгоне, хотя эффект этот вряд ли будет сильно заметен.
К сожалению, посмотреть на чипы памяти, установленные в модулях Team Elite, нам не удалось, так как радиаторы “насмерть” приклеены к ним термоклеем. Впрочем, это не критично. К тому же все спецификации указаны на наклейке. А они вновь те же, что и у двух предыдущих моделей. Объем памяти 4 гигабайта, частота 1600 мегагерца, стандартные тайминги 11-11-11-28, и напряжение 1,5 вольта. Никакой комплектации или упаковки для модулей Team Elite производителем не предусмотрено.
Transcend 640216-4610
У модулей Transcend, равно как и у Silicon Power не удалось выявить никаких оригинальных особенностей. Все просто, скромно, и максимально экономично. Впрочем, так выглядят 90 процентов всех планок памяти данного ценового сегмента. Данная компания вообще никогда не отличалась особой оригинальностью при производстве внутренних компонентов для ПК. Ее память всегда проста и дешева, а видеокарты, которыми Transcend также когда-то занималась, были полностью референсными. Тем не менее, она является таким же полноправным претендентом на покупку, хотя и уступает по известности бренда всем конкурентам. Впрочем, как известно из истории, победить может и тот, от кого этого совсем не ждешь.
Тем более что по базовым характеристикам модули Transcend не отличаются от остальных. Частота 1600 мегагерц, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1,5 вольта, и объем 4 гигабайта. Учитывая, что сама Transcend чипы памяти не производит, совсем не удивительно было обнаружить на ее планках чипы производства компании Elpida с маркировкой J2108BDBG-GN-F. Их емкость равна 2 гигабитам, и как следствие, для достижения общего объема в 4 гигабайта их распаяно 16 штук.
Методика тестирования
Учитывая, что тестировать их на равных частотах бессмысленно, главной задачей данного теста было раскрытие скрытого потенциала с целью выявить лучший комплект модулей. Для этого мы пытались найти максимальную стабильную частоту работы при повышении напряжения до 1,65 вольта, то есть максимального безопасного уровня. Также мы попытались выяснить на каких минимальных таймингах способна работать память при своей номинальной частоте, которая для всех модулей составляет 1600 мегагерц. Ведь, как известно, базовые модули выставляются с запасом, и всегда есть вероятность получить чуть большую производительность снижая тайминги. Так же минимальных таймингов мы пытались добиться и на самой высокой достигнутой частоте.
Учитывая, что наш тестовый стенд использует процессор Intel с фиксированной частотой опорной шины, разгон памяти мы могли осуществлять только с помощью множителей, что несколько ограничило наши возможности фиксированными частотами в 1600, 1866, 2000, и 2133 мегагерца. Тем не менее, достаточно объективные данные о потенциале модулей благодаря этому мы получим. К тому же ранжировать память с одинаковой максимальной частотой должны помочь тайминги. Если при равных частотах, один из модулей сможет работать на более низких таймингах, то он, безусловно, будет более предпочтителен. Кстати, обладатели процессоров AMD, благодаря возможности регулировки частоты передней шины, имеют больше возможностей по поиску предельной частоты, и естественно смогут добиться от тех же модулей памяти большего.
Разгон
Если честно, то в глубине души мы надеялись на то, что хоть одна пара моделей достигнет заветной планки в 2000 мегагерц, но эти надежды разбились о суровую действительность. Тем не менее, назвать результаты “огорчающими” нельзя, так как три из четырех решений отлично работали на частоте 1866 мегагерц. И только модули от Transcend совершенно отказались делать этот шаг, так и оставшись на уровне 1600 мегагерц. Обидно. Тройка лучших после повышения частоты начала бороться за минимальные тайминги, чтобы выявить однозначного лидера. Им оказались модули производства Silicon Power, которые при повышенной частоте смогли стабильно работать на великолепных таймингах 8-9-8-24. Это вполне достойный показатель не только для бюджетной, но и для оверклокерской памяти. А вот модулям Team Elite и Kingston такое повышение не далось малой кровью, и функционировать они смогли лишь на таймингах 12-12-12-32, что трудно назвать хорошим результатом. А модули Silicon Power, в итоге довершили разгром соперников, тем, что смогли работать при указанных таймингах и частоте на номинальном напряжении в 1,5 вольта, а не 1,65, как предполагалось по условиям теста. Однозначная и безоговорочная победа.
Вторая дисциплина по достижению минимальных таймингов на базовой частоте в 1600 мегагерц и без повышения напряжения также покорилась именно модулям Silicon Power, хотя и с небольшим перевесом. Впрочем, тайминги 8-9-8-21 можно назвать отменными для такой частоты. Вторая группа состоящая из модулей производства Team и Kingston вновь продемонстрировала одинаковые результаты “согласившись” на тайминги 9-9-9-21. А вот Transcend вновь проявил упорство достойное лучшего применения, отказавшись работать даже на 10-10-10-26, так и оставшись истинным приверженцем своей базовой частоты и таймингов.
Тесты
Итак, результаты разгона ясны, но перед тем как переходить к заключению, давайте проверим, к каким результатам привело это повышение частот и снижение таймингов. Большое количество тестов использовать бессмысленно, так как большинство приложений практически не заметит такие изменения в конфигурации, да и потребность в пропускной способности памяти у каждого приложения разная, а потому мы решили обойтись синтетикой. AIDA 64 покажет нам какой прирост в чистой пропускной способности мы получили, и как изменились задержки. А PCMark 7, а точнее входящий в него тест Video Transcoding Downscaling оценит реальный эффект от этих изменений, так как именно к пропускной способности памяти он очень критичен.
Как видите, AIDA 64 оценила все изменения более чем адекватно, продемонстрировав большую любовь к более высоким частотам, нежели к низким таймингам. Впрочем, пара модулей Silicon Power, благодаря сочетанию минимальных таймингов и максимальной частоты, все же оказывается впереди, да и задержки он демонстрирует минимальные. Удивительно выглядят результаты модулей от Transcend, которые местами демонстрируют неплохие результаты. Видимо AIDA решила накинуть им немного “за стабильность”…
В PCMark 7 разброс результатов выше, и здесь Transcend делать уже нечего. При этом, что интересно, модули Team Elite при работе на минимальных таймингах оказались лучшими, опередив даже Silicon Power. А вот Kingston заметно отстал. Зато на максимальной частоте реванш берет Silicon Power, опережая Kingston, а модули Team оказываются лишь на третьем месте. Кстати, отметим, что этот тест явно показал, что он предпочитает меньшие задержки, нежели более высокую частоту.
Выводы
Назвать однозначного победителя теста несложно – это модули от Silicon Power, которые показали более чем достойные результаты, особенно это относится к минимальным таймингам. По своим характеристикам после разгона они оказались лучше чем большая часть оверклокерских решений одно- двухлетней давности. И это при вполне бюджетной цене. Такие модули мы, безусловно, рекомендуем к покупке.
Середняками, которые также не стоит списывать со счетов, стали Team Elite и Kingston. Причем их главным достоинством является возможность снизить тайминги на номинальных частотах. Это дает хороший эффект. Значительно лучший, чем повышенная частота при более высоких таймингах. Они также вполне достойны покупки… в том случае, если нет возможности купить Silicon Power.
